英伟达RTX 3080 Ti工程卡曝光:4倍光追,三星8nm工艺_科技频道_

发布日期:2020-07-26 07:43   来源:未知   阅读:

英伟达RTX 30系显卡预计将于8月底正式发布,而现在关于英伟达RTX 30系显卡的消息也越来越多,有爆料人士称英伟达的30系显卡已经开始正式出样,就是说工程样品已经出现,预计在光追性能上有大幅提升,此外在工艺上将会采用三星的8nm工艺而不是之前所说的台积电7nm工艺。

Moore’s Law is Dead指出,由于目前台积电的产能不能满足英伟达的需求,因此英伟达不得不选择三星的8nm制造工艺作为临时替代品,因此今年的所有30系显卡都将采用三星8nm工艺,而到了明年开始的30系SUPER系列显卡才有可能搭载台积电的7nm EUV工艺。

此外爆料人士还曝光了英伟达30系显卡的具体参数,称无论是RTX 3080还是RTX 3080 Ti,它们的芯片代号都是GA102,采用了三风扇的设计,此外电源接口也从过去的8Pin变成了12Pin,基准频率为2GHz,加速频率达到了2.2GHz,同时4K性能比RTX 2080 Ti高了40%,光线追踪性能更是达到了RTX 2080 Ti的3至4倍,此外英伟达30系显卡还将支持DLSS 3.0特性,相当地给力。

当然具体30系显卡能够达到怎样的水平,我们还是要看具体的参数以及性能才能够知道。